شرکت کره‌ای SK Hynix که در زمینه‌ی ساخت تراشه‌های حافظه فعالیت می‌کند، از سریع‌ترین DRAM موبایلی LPDDR5T (Low Power Double Rate 5 Turbo) جهان پرده برداشت. LPDDR5T با سرعت چشم‌گیر ۹٫۶ گیگابیت برثانیه (Gbps) کار می‌کند که نسبت به نسل قبلی این فناوری یعنی LPDDR5X حدود ۱۳ درصد سریع‌تر است. این شرکت برای برجسته‌تر کردن حداکثر سرعت حافظه‌ی مذکور، حرف اول کلمه‌ی Turbo را به استاندارد LPDDR5 اضافه کرد.
LPDDR5T در محدوده‌ی ولتاژ فوق‌العاده پایین ۱٫۰۱ تا ۱٫۱۲ ولت کار می‌کند. شایان‌ذکر است این محدوده را شورای مشترک مهندسی دستگاه‌های الکترونیکی (JEDEC) تنظیم می‌کند. طبق گزارش گیزموچاینا، حافظه‌ی LPDDR5T سرعت بسیار بالایی دارد و مصرف انرژی آن نیز نسبت‌به نسل قبل کاهش یافته است. SK Hynix همچنین تصمیم دارد حافظه‌هایی با ظرفیت‌های متنوع دراختیار مشتریان خود قرار دهد. این شرکت نمونه‌هایی از بسته‌های ۱۶ گیگابایتی چند تراشه‌ای را ارائه داده است که چندین تراشه‌ی LPDDR5T را در یک بسته ترکیب می‌کند. این ویژگی باعث می‌شود قدرت پردازش داده‌ی حافظه‌ی مذکور به ۷۷ گیگابایت برثانیه برسد.
SK hynix تصمیم دارد تولید انبوه حافظه‌های LPDDR5T را از نیمه‌ی دوم سال ۲۰۲۳ و با استفاده از فناوری 1anm آغاز کند. 1anm درواقع چهارمین نسل فناوری ۱۰ نانومتری است. طبق پیش‌بینی‌ها، به‌دلیل گسترش قریب‌الوقوع بازار گوشی‌های هوشمند 5G، میزان تقاضا برای تراشه‌های حافظه با مشخصات بهتر، افزایش خواهد یافت. SK Hynix ld معتقد است با افزایش دسترسی به هوش مصنوعی، یادگیری ماشینی و واقعیت مجازی، تقاضا برای DRAM LPDDR5T آن نیز بالا خواهد رفت.
سونگسو ریو، رئیس برنامه‌ریزی محصول DRAM در SK Hynix اظهارداشت این شرکت تقاضای مشتریان را برای محصولاتی با عملکرد سطح بالا برآورده کرده است و برای رهبری بازار نیمه‌هادی‌های نسل بعدی و تبدیل شدن به یکی از شرکت‌هایی بزرگ بازار همچنان به توسعه‌ی فناوری‌های مرتبط ادامه خواهد داد.
